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NXP Semiconductors
1PS76SB10
Schottky barrier single diode
1PS76SB10
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
18 July 2012
3
/
8
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF
= 0.1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
240
mV
IF
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
320
mV
IF
= 10 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
400
mV
IF
= 30 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
500
mV
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
800
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; T
amb
= 25 °C; pulsed;
tp
= 300 μs; δ
= 0.02
-
-
2
μA
Cd
diode capacitance
f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C; V
R
= 1 V
-
-
10
pF
103
102
10-
1
0
IF
(mA)
VF
(V)
10
1
(1)
1.2
0.8
0.4
msa892
)
(3)
(2
)
2)
(3)
1
(
(
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
0-
1
0
10
20
30
VR
(V)
103
102
1
IR
(μA)
10
1
(1)
(2)
(3)
msa893
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 2.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
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